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奧氏體形成機理
共析鋼奧氏體冷卻到臨界點(diǎn)A1以下溫度時(shí)，存在共析反應：A---F+Fe3C。加熱時(shí)發(fā)生逆共析反應：F+Fe3C----A。逆共析轉變是高溫下進(jìn)行的擴散性相變，轉變的全過(guò)程可以分為四個(gè)階段，即：奧氏體形核，奧氏體晶核長(cháng)大，剩余滲碳體溶解，奧氏體成分相對均勻化。各種鋼的奧氏體形核形成過(guò)程有一些區別，亞共析鋼，過(guò)共析鋼，合金鋼的奧氏體化過(guò)程中除了奧氏體形成的基本過(guò)程外，還有先共析相的溶解，合金碳化物的溶解等過(guò)程。

奧氏體形成的熱力學(xué)條件：必須存在過(guò)冷度或過(guò)熱度?T。

奧氏體形核
奧氏體的形核位置通常在鐵素體和滲碳體兩相界面上，此外，珠光體領(lǐng)域的邊界，鐵素體嵌鑲塊邊界都可以成為奧氏體的形核地點(diǎn)。奧氏體的形成是不均勻形核，復合固態(tài)相變的一般規律。

一般認為奧氏體在鐵素體和滲碳體交界面上形核。這是由于鐵素體碳含量極低（0.02%以下），而滲碳體的碳含量又很高（6.67%），奧氏體的碳含量介于兩者之間。在相界面上碳原子有吸附，含量較高，界面擴散速度又較快，容易形成較大的濃度漲落，使相界面某一區域達到形成奧氏體晶核所需的碳含量；此外在界面上能量也較高，容易造成能量漲落,以便滿(mǎn)足形核功的要求；在兩相界面處原子排列不規則，容易滿(mǎn)足結構漲落的要求。所有漲落在相界面處的優(yōu)勢，造成奧氏體晶核較容易在此處形成。

奧氏體的形核是擴散型相變，可在鐵素體與滲碳體上形核，也可在珠光體領(lǐng)域的交界面上形核，還可以在原奧氏體晶核上形核。這些界面易于滿(mǎn)足形核的能量，結構和濃度3個(gè)漲落條件。

奧氏體晶核的長(cháng)大
加熱到奧氏體相區，在高溫下，碳原子擴散速度很快，鐵原子和替換原子均能夠充分擴散，既能夠進(jìn)行界面擴散，也能夠進(jìn)行體擴散，因此奧氏體的形成是擴散型相變。

剩余碳化物溶解
鐵素體消失后，在t1溫度下繼續保持或繼續加熱時(shí)，隨著(zhù)碳在奧氏體中繼續擴散，剩余滲碳體不斷向奧氏體中溶解。

奧氏體成分均勻化
當滲碳體剛剛全部融入奧氏體后，奧氏體內碳濃度仍是不均勻的，只有經(jīng)歷長(cháng)時(shí)間的保溫或繼續加熱，讓碳原子急性充分的擴散才能獲得成分均勻的奧氏體。

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